Motor Drock Sensor 2CP3-68 1946725 fir Carter Bagger

Eng Method fir en Drocksensor ze preparéieren, charakteriséiert duerch déi folgend Schrëtt:

S1, e wafer mat enger hënneschter Uewerfläch an enger viischter Uewerfläch; Form vun engem piezoresistive Sträif an engem staark dotéiert Kontakt Beräich op der viischter Uewerfläch vun der wafer; Bildung vun engem Drock déif Kavitéit andeems d'Réckfläche vum Wafer Ätzen;

S2, eng Ënnerstëtzung Blat op de Réck vun der wafer Bindung;

S3, Fabrikatioun Bläi Lächer a Metal Dréit ofgepëtzt op der viischter Säit vun der wafer, a Verbindung piezoresistive Läischte eng Wheatstone Bréck ze Form;

S4, deposéieren an eng passivation Layer op der viischter Uewerfläch vun der wafer, an Ouverture Deel vun der passivation Layer engem Metal Pad Beräich ze Form. 2. D'Fabrikatiounsmethod vum Drocksensor no Fuerderung 1, an deem S1 speziell déi folgend Schrëtt enthält: S11: e Wafer mat enger Réckfläche an enger Frontfläch ubidden an d'Dicke vun engem Drockempfindleche Film op der Wafer definéieren; S12: Ionimplantatioun gëtt op der viischter Uewerfläch vun der Wafer benotzt, piezoresistive Sträifen ginn duerch eng Héichtemperaturdiffusiounsprozess hiergestallt, a Kontaktregioune si staark dotéiert; S13: deposéieren a bilden eng Schutzschicht op der viischter Uewerfläch vum Wafer; S14: Ätzen a bilden en Drock déif Kavitéit op der Réck vun der Wafer fir en Drockempfindleche Film ze bilden. 3. D'Fabrikatiounsmethod vum Drocksensor no Fuerderung 1, wou de Wafer SOI ass.

1962, Tufte et al. fabrizéiert e piezoresistive Drock Sensor mat diffusen Silicon piezoresistive Läischte a Silicon Film Struktur fir d'éischte Kéier, an ugefaang der Fuerschung op piezoresistive Drock Sensor. An de spéiden 1960er a fréien 1970er huet d'Erscheinung vun dräi Technologien, nämlech Silizium anisotropesch Ätstechnologie, Ionimplantatiounstechnologie an anodesch Bindungstechnologie, grouss Ännerungen am Drocksensor bruecht, wat eng wichteg Roll gespillt huet fir d'Performance vum Drocksensor ze verbesseren. . Zënter den 1980er, mat der Weiderentwécklung vun der Mikromachining Technologie, wéi anisotropesch Ätzen, Lithographie, Diffusiounsdoping, Ionimplantatioun, Bindung a Beschichtung, ass d'Gréisst vum Drocksensor kontinuéierlech reduzéiert ginn, d'Sensibilitéit gouf verbessert, an d'Ausgab ass héich an d'Leeschtung ass excellent. Zur selwechter Zäit mécht d'Entwécklung an d'Applikatioun vun der neier Mikromachining Technologie d'Filmdicke vum Drocksensor präzis kontrolléiert.