Applicabel fir Passat Brennstoff Common Rail Drock Sensor 06E906051K

1. Eng Methode fir en Drocksensor ze bilden, déi enthält:

En Halbleitersubstrat ubidden, an deem eng éischt interlayer dielektresch Schicht, eng éischt interlayer dielektresch Schicht an eng zweet interlayer dielektresch Schicht um Hallefleedersubstrat geformt ginn.

Eng ënnescht Elektrodeplack an der éischter interlayer dielektrescher Schicht, eng éischt géigesäiteg Elektrode, déi op der selwechter Schicht wéi déi ënnescht Elektrodeplack läit an auserneen gedeelt.

Verbindung Schichten;

Bildung vun enger Opferschicht iwwer der ënneschter Polarplack;

Bildung vun enger ieweschter Elektrodenplack op der éischter interlayer dielektrescher Schicht, der éischter Verbindungsschicht an der Opferschicht;

No der Bildung vun der Opferschicht a virun der Form vun der ieweschter Plack, an der éischter Verbindungsschicht

Form vun enger Verbindungsgroove, a fëllt d'Verbindungsgroove mat der ieweschter Plack fir elektresch mat der éischter Verbindungsschicht ze verbannen; Oder,

No der Bildung vun der ieweschter Elektrodenplack ginn d'Verbindungsrillen an der ieweschter Elektrodenplack an der éischter Verbindungsschicht geformt, déi

Bildung vun enger konduktiver Schicht, déi déi iewescht Elektrodenplack an déi éischt Verbindungsschicht an der Verbindungsgroove verbënnt;

Nodeems Dir déi iewescht Plack an déi éischt Verbindungsschicht elektresch verbënnt, d'Afferschicht erofhuelen fir e Kavitéit ze bilden.

2. D'Methode fir en Drocksensor ze bilden no Fuerderung 1, woubäi an der éischter Schicht

D'Methode fir d'Opferschicht op der interlayer dielektrescher Schicht ze bilden enthält déi folgend Schrëtt:

Deposéiere vun enger Opfermaterialschicht op déi éischt interlayer dielektresch Schicht;

Muster vun der Opfermaterialschicht fir eng Opferschicht ze bilden.

3. D'Methode fir den Drocksensor ze bilden no Fuerderung 2, an där Photolithographie a Gravur benotzt ginn.

D'Affermaterialschicht gëtt duerch Ätzprozess geprägt.

4. D'Methode fir en Drocksensor ze bilden no Fuerderung 3, an deem d'Afferschicht

D'Material ass amorph Kuelestoff oder Germanium.

5. D'Methode fir en Drocksensor ze bilden no Fuerderung 4, an deem d'Afferschicht

D'Material ass amorph Kuelestoff;

Ätsgasen, déi am Prozess vun der Ätzen vun der Affermaterialschicht benotzt ginn, enthalen O2, CO, N2 an Ar;

D'Parameteren am Prozess vun der Ätze vun der Opfermaterialschicht sinn: de Flowbereich vun O2 ass 18 SCCM ~ 22 SCCM, an de Flowrate vum CO ass 10%.

De Flux Taux laut aus 90 SCCM ze 110 SCCM, de Flux Taux vun N2 Gamme vun 90 SCCM ze 110 SCCM, an de Flux Taux vun Ar.

D'Gamme ass 90 SCCM ~ 110 SCCM, den Drockbereich ass 90 mtor ~ 110 mtor, an d'Basmuecht ass

540 bis 660 Watt.