Uwendbar fir Passat Brennstoffinfeierdrockdrock Sensor 06E906051K

1. Eng Method fir en Drock Sensor ze bilden, auszedrécken:

Eng Semikonductorstur substratesch liwweren, wou en éischten Interelayer Diselektresch Schicht, eng éischt interelacer Dielektresch Schicht geformt ginn.

Eng méi niddereg Elektrode Platate an der éischter interelayer Diselektresch Schicht, eng éischt géigesäiteg Elektrode op der selwechter Schicht wéi déi ënnescht Elektrode.

Verbindung Schichten;

Eng geäussend Schicht iwwer déi ënnescht Polarplack ze bilden;

Eng iewescht elektrode Formulaire bucken op déi éischt Annelayer Diselcayschicht, déi éischt Interkonitéitsmaschinn an der Erliefnes.

Nom Formulaire déi geacualiell Schicht bilden an ier Dir déi iewescht Plack bilden, an der éischter Steinknolschicht

Eng Verbindung vum Ubidder bueden an d'Verbindung vu ieweschte Belaten duerzesch maache. Oder,

Nodeems Dir déi iewescht Elektrode Formule bilden, verbënnt Groovese ginn an der ieweschter Elektrodeplacke geformt an déi éischt Interkonomieschicht, déi

Eng kondektiver Schichten bilden déi iewescht Elektrodeplack an déi éischt Interkonomie Layer an der Verbindung Groove;

Nodeems Dir déi iewescht Placke verbënnt an déi éischt Interkonnatiounsschicht, déi verkënnegt Schicht ofhuelen fir eng Kavitéit ze bilden.

2. D'Method fir en Drock Sensor ze bilden no Fuerderung 1, wou an der éischter Schicht

D'Method fir déi uerdentlech Schicht ze bilden op der Tauelayer Diselektresch Schicht, déi déi folgend Schrëtt ëmfaasst:

Deposéiert eng geacualieller Material Schicht op der éischter Interelayer Diselektresch Schicht;

Déi geactifyielle Material Schicht ze klappen fir eng gezeechent Schicht ze bilden.

3. D'Method fir den Drock Sensor ze bilden no der Fuerderung 2, wou Go Photolhographographie an Graving benotzt ginn.

Déi geacualielle Material Schicht ass vum Etching Prozess geplatzt.

4. D'Methode fir en Drock Sensor ze bilden no der Fuerderung 3, wou d'verständlech Schicht

D'Material ass demofrafon Kuelestoff oder Däitschland.

5. D'Method fir en Drock Sensor ze bilden no der Fuerderung 4, wou d'verstoppt Schicht

D'Persoun ass eloruerten Kuelestoff;

Etching Gase déi am Prozess benotzt ginn fir d'gewësse Mannerjärege Schicht O2, CO, N2 an ar;

D'Parameteren am Prozess vun der etchéieren déi geacualialen Material Schicht sinn: de Flux Gamme vun O2 ass 18 Scm ~ 22 Scm, an de Flux Taux ass 10%.

Aner Rulle reift aus 90 scCm op 110 scm, de Leum-Seccm bis 90 Sall-Rutsch op 90 Scmm an 110.

D'Gamme ass 90 sccm ~ 110 sccm, den Drockberäich ass 90er mator ~ 110 mator, an d'Biaskraaft ass

540w ~ 660w.