Gëeegent fir Hitachi km111 Uelegdrock Sensor Ex200-2-3-5

Véier Drock Technologien vum Drock Sensor

1. Capacitiv

Capaceive Drock Sensoren sinn normalerweis vun enger grousser Zuel vun OEM professionelle Uwendungen favoriséiert. Detectioning Takeitance Ännerungen tëscht zwou Flächen erméiglecht dës Sënner an extrem niddereg Drock an de Vakuumniveauen ze sinn. An eiser typescher Sensor Contributioun gëtt e kompakt Wunnsëtz, déi sech vun zwou verschréint gouf. Dës fest fix Flächen (oder Placke) sinn montéiert, sou datt d'Belounung vun der Versammlung d'Spalt tëscht hinnen nännert (tatsächlech eng variable Fäegkeeten ze bilden). Deen dëse Dréibieraart gëtt duerch eng sensibel Livarer Computor Creator mat (oder asic) festgestallt, wat amgaang ass en proportional

2.CVD Typ

Chemesch Damplaatzung (oder "CVD") Fabrikatiounsmethod Bonds Polysilicon Layer fir Edel Delhragragm am Molekular Niveau ze produzéieren. Gemeinsam Patchverbrauch REVATISHTIKTERSPORTERSPORTATERSPORTERVORSAFAFAFAAFA gi fir Polysmalast Belaaschtung Vaullge mat exzellente Leeschtung an engem ganz verstännegen Zoustand. CVD Struktur huet exzellent Erlaabnes an ass de beléifste Sensor an OEM Uwendungen.

3. Sputterfilmentyp

Sputtend Filmpolitik (oder "Film") kann e Sensor mat maximal wiederhaft Listaritéit erstellen. Hysteresis a Widderhuelung. D'Genauegkeet kann sou héich wéi 0,08% vu voller Skala sinn, während déi laangfristeg Drift sou niddereg wéi 0,06% vun der voller Skala ass. Aussergewéinlech Leeschtung vum Schlësselinstrumenter

4.MMS Typ

Dës Sensoren benotze Mikro-machined Silicon (MMS) Membran fir Drock z'entdecken. De Silicon Membran gëtt vum Medium vum Medium vum mëttleren 316ssen isoléiert, a si reagéieren an der Serie ze sammelen. MMS Sensor adoptéiert heefeg Semikondanthoratoreschaart Technologie, déi héich Voltéierung Resistenz erreeche kann, gutt Linder, exzellent Ersatzspakung an engem kompakten Sensor.